Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (2)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Наджафов Б$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Представлено документи з 1 до 2
1.

Наджафов Б. А. 
Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0–1), полученных плазмохимическим осаждением [Електронний ресурс] / Б. А. Наджафов, В. В. Дадашова // Український фізичний журнал. - 2014. - Т. 59, № 10. - С. 959-966. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2014_59_10_5
Проанализированы возможности применения технологии плазмохимического осаждения пленок <$Ea- { roman Si} sub 1-x { roman Ge} sub x : roman H> (x = 0 - 1), нелегированных и легированных PH3 и B2H6, для использования их в p-i-n-структурах солнечных элементов. Рассмотрены оптические, электрические, фотоэлектрические свойства, также определено количество водорода, содержащегося в данной пленке. Найдено, что свойства пленки сильно зависят от состава и уровня гидрогенизации. Количество атомов водорода в пленках варьировали путем изменения составов газовой смеси, и измеряли ИК поглощение для пленок a-Si:H и a-Ge:H. Фотопроводимость рассчитывалась по соотношению: <$EJ sub ф ~=~AF sup gamma> при <$Egamma~=~1>. Концентрация водорода в пленках определялась предпочтительным дополнительным параметром - P. В то же время NH определялось с помощью колебательной моды растяжения и моды качения для пленок <$Ea- { roman Si} sub 1-x { roman Ge} sub x : roman H> (x = 0 - 1). На основе пленок a-Si:H и <$Ea- roman {Si sub 0,88 Ge} sub 0,12>:H изготовлены трехслойные солнечные элементы с площадью элемента 1,3 см<^>2 и эффективностью (<$Exi>) 9,5 %.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.129 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Наджафов Б. А. 
Оптоэлектронные свойства тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния-углерода и нанокристаллического кремния [Електронний ресурс] / Б. А. Наджафов, В. В. Дадашова // Український фізичний журнал. - 2013. - Т. 58, № 10. - С. 969-974. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2013_58_10_10
Рассмотрены некоторые параметры тонких пленок гидрогенизированного аморфного сплава кремния-углерода (<$Ea- {roman Si} sub 1-x {roman C} sub x : roman H>) (x = 0; 0,5) и нанокристаллического кремния (нк-Si). На основе этих пленок разработаны солнечные элементы с барьерами Шоттки, n-i-p- и двойным n-i-p-гетеропереходом. Элементы двойных гетеропереходов a-SiC/a-Si/нк-Si, в которых p-слой изготавливался из a-SiC:H и использовался в качестве "окна", и n-слой изготавливался из нк-Si. Исследованы вольтамперные характеристики при освещении для каждого типа солнечных элементов. Установлено, что наибольшее значение коэффициента полезного действия солнечных элементов с двойным n-i-p-гетеропереходом в случае освещения с интенсивностью 100 мВт/см<^>2 площади элементов 1 см<^>2 составляет 11,5 %.
Попередній перегляд:   Завантажити - 595.391 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського